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SK 海力士加速 HBM4 内存量产，目标 2025 下半年推出首批产品
此前 SK 海力士预计 2026 年实现 HBM4 投产，现在则称将在 2025 下半年推出 12 层堆叠版 HBM4。 -
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TrendForce：2025 年 HBM 内存价格调涨约 5~10%，占 DRAM 总产值预估将逾三成
2025 年 HBM 的重心将转向 12 层堆叠和 HBM3e 品类，位元产出量也将跨越 10% 大关。 -
消息称美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
目前云服务业者和企业级存储需求的强劲回升，而美光 DRAM 产能又受近期台湾地区地震影响。 -
消息称三星、SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产，满足端侧 AI 需求
在该领域使用的新技术名为垂直布线扇出，可大幅减少多层 DRAM 间的布线长度。 -
三星电子获内存专利诉讼有利判决，无需向 Netlist 支付 3.03 亿美元赔偿
去年 4 月美法院判决三星侵犯 Netlist 五项专利，需支付赔偿。但一年以来这些专利均被判无效。 -
三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证，有望在 HBM4 内存大面积应用
混合键合技术可降低 HBM 内存中各 DRAM 层的间距，同时提高信号传输速率。
